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摘要： Graphene作为一种半金属性 材料， 内部载流子浓度高达1013个/ cm3 ，而且由于 Graphene 特殊的能带结构，载流子可以在电子与空穴之间连续调节 ，使 Graphene呈现出 n型、p型特性。由于高度对称的晶格结构，使得 Graphene内部载流子的迁移率达到 15000cm2/(vs)，而且实验表明，这种迁移率几乎与温度无关 ，说明即使在室温下，Graphene 的迁移率仍然主要受杂质或缺陷的影响....

Graphene作为一种半金属性 材料， 内部载流子浓度高达1013个/ cm3 ，而且由于 Graphene 特殊的能带结构，载流子可以在电子与空穴之间连续调节 ，使 Graphene呈现出 n型、p型特性。

由于高度对称的晶格结构，使得 Graphene内部载流子的迁移率达到 15000cm2/(vs)，而且实验表明，这种迁移率几乎与温度无关 ，说明即使在室温下，Graphene 的迁移率仍然主要受杂质或缺陷的影响 ，通过提高晶体质量，可以提高载流子的迁移率 (高达100000cm2/(vs) )。这些特性为 Graphene在未来电子学中的应用奠定基础。

所以目前石墨烯最重要的应用领域就是结合传统微加工技术，各种器件 (p - n结、场效应晶体管、单分子探测器等 )已经被实验所实现，使 Graphene体现出巨大的应用潜力。

虽然Graphene在微电子学 、纳米电子学 、自旋电子学 、能源存储等方面具有广泛应用前景 ，但是大量的、高质量的 Graphene样品的获得仍然是困扰着人们的问题。

利用微力学解理方法获得的 Graphene强烈依赖所使用的石墨 ，目前所能得到的最大面积仅为微米量级 ，而且效率低下，很难在产业中使用，利用碳化硅分解获得的 Graphene具有大量缺陷，过渡金属表面生长的 Graphene不易分离等都为Graphene的产业化提出了问题。Graphene的制备方法仍需要进一步的完善，要大量生产或许荆棘重重。

关于石墨烯与LED，六年前石墨烯拿到诺贝尔奖之后，很多做LED的人想把石墨烯用在LED芯片与散热领域并写了很多专利，原因就是因为它优异的导热与导电能力，当然还有它的高透明穿透率性质，所以我看到很多关于石墨烯的LED专利都是透明导电层与散热技术方面。

石墨烯也许是一个非常好的导热材料，但是以现在的技术与成本用在LED会非常浪费，目前用在芯片的透明导电层上也是很浪费，除非有生产技术的突破，让石墨烯镀膜成本降低到跟ITO差不多，这样也许因为它的优异特性取代目前的工艺也不无可能。同理用在LED散热材料也是如此。我觉得LED芯片比较有可能比较快用上。

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